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Enquête Publique – Norme volontaire

Date de clôture : 29/09/2017

Circuits intégrés – Circuits intégrés tridimensionnels – Partie 3: Modèle et conditions de mesure des trous de liaison à travers le silicium (TSV).

PR NF EN 63011-3

Suivie par la Commission : Circuits intégrés Origine des travaux : Internationale
    Motif : Revision de norme

Résumé:

Le présent document spécifie un modèle de référence des caractéristiques électriques des trous de liaison à travers le silicium (TSV: Through Silicon Via) exigées pour la conception d'une interface dans un circuit intégré tridimensionnel (3DIC) pour transmettre et recevoir des données numériques, ainsi que les conditions de mesure de la résistance et de la capacité afin de spécifier les caractéristiques des TSV dans un circuit intégré tridimensionnel.

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Informations complémentaires :
  • Les destinataires du présent projet sont invités à soumettre, avec leurs observations, une notification des droits de propriété intellectuelle ou industrielle dont ils ont connaissance et à fournir une documentation justificative.

  • Cette enquête publique porte sur la reprise en norme française d'une norme ISO déjà publiée. Nous vous invitons à vous prononcer sur l'opportunité d'intégrer à l'identique cette norme ISO dans la collection française de normes et non pas sur l'opportunité de modifier son contenu.

  • Si une réunion de dépouillement s'avère nécessaire, celle-ci sera confirmée ultérieurement par une invitation.

  • L'enquête publique est soumise sur la version française uniquement.