Suivie par la Commission : | Circuits intégrés | Origine des travaux : | Internationale |
Motif : | Revision de norme | ||
Résumé: | |||
Le présent document spécifie un modèle de référence des caractéristiques électriques des trous de liaison à travers le silicium (TSV: Through Silicon Via) exigées pour la conception d'une interface dans un circuit intégré tridimensionnel (3DIC) pour transmettre et recevoir des données numériques, ainsi que les conditions de mesure de la résistance et de la capacité afin de spécifier les caractéristiques des TSV dans un circuit intégré tridimensionnel. Voir plus Voir moins |
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Informations complémentaires : | |||
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