Suivie par la Commission : | Dispositifs à semiconducteurs | Origine des travaux : | Européenne |
Motif : | Nouveau document | ||
Résumé: | |||
La présente procédure de mesure définit une méthode de mesure du rayonnement électromagnétique provenant d'un circuit intégré (CI). Le CI évalué est monté sur une carte de circuit imprimé (PCB) d'essai de CI qui est fixée sur un accès d'accouplement (désigné comme "accès à la paroi") découpé au sommet ou au fond d'une cellule électromagnétique transverse (TEM, transverse efectromagnetlc) ou d'une cellule TEM en gigahertz (GTEM) à large bande. La carte d'essai n'est pas à l'intérieur de la cellule, comme dans l'usage conventionnel, mais devient une partie de la paroi de la cellule. Cette méthode est applicable à toute cellule TEM ou GTEM modifiée pour incorporer l'accès à la paroi; cependant, la tension RF mesurée sera affectée par de nombreux facteurs. Le facteur principal affectant la tension RF mesurée est l'espacement entre le diaphragme et la carte d'essai du CI (paroi de la cellule). Cette procédure a été élaborée à l'aide d'une cellule TEM de 1 GHz avec un espacement entre le diaphragme et le sol de 45 mm et d'une cellule GTEM avec un espacement moyen entre le diaphragme et le sol de 45 mm au-dessus de la zone de l'accès. D'autres cellules peuvent ne pas produire de sortie spectrale identique, mais peuvent être utilisées pour des mesures comparatives, soumises à leurs limites en fréquence et en sensibilité. Un facteur de conversion peut permettre des comparaisons entre les données mesurées sur les cellules TEM ou GTEM avec un espacement différent entre le diaphragme et le sol. Voir plus Voir moins |
|||
Informations complémentaires : | |||
|