Suivie par la Commission : | Dispositifs à semiconducteurs | Origine des travaux : | Internationale |
Motif : | Revision de norme | ||
Résumé: | |||
L'essai d'irradiation aux neutrons est réalisé pour déterminer la sensibilité à la dégradation des dispositifs à semiconducteurs placés dans un environnement de neutrons. Les essais décrits ici sont applicables aux circuits intégrés et aux dispositifs à semiconducteurs. Cet essai est destiné aux applications des domaines militaire et spatial. Il s'agit d'un essai destructif. Les objectifs de l'essai sont les suivants : a) détecter et mesurer la dégradation des paramètres critiques des dispositifs à semiconducteurs en fonction de la fluence des neutrons, et b) déterminer si des paramètres spécifiés des dispositifs à semiconducteurs sont dans les limites spécifiées après exposition à un niveau spécifié de fluence de neutrons (voir Article 4). Voir plus Voir moins |
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Informations complémentaires : | |||
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