La présente publication présente des lignes directrices relatives à l’évaluation de la fiabilité de la commutation des interrupteurs de puissance GaN. Elle s’applique aux solutions de puissance intégrées GaN et aux interrupteurs de puissance GaN cascode, en mode d’enrichissement planaire et en mode d’appauvrissement. Elle couvre les aspects suivants: a) une approche permettant de couvrir un large éventail d’applications, utilisant le lieu de commutation pour représenter la contrainte de commutation de manière normalisée; b) le développement d’un modèle de durée de vie, basé sur le type de lieu de commutation des applications; c) la validation de la fiabilité du fonctionnement dans des conditions de mise en application. La publication donne lieu à des méthodes communes pour représenter, évaluer et modéliser la contrainte de commutation sur les interrupteurs de puissance GaN, et assurer leur fonctionnement fiable dans une application.

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