| Suivie par la Commission : | Dispositifs à semiconducteurs | Origine des travaux : | Internationale |
| Motif : | Revision de norme | ||
| Résumé: | |||
|
Le présent document spécifie les méthodes d’essai permettant d’évaluer la linéarité des dispositifs neuromorphiques à memristance. Les méthodes d’essai données dans le présent document portent sur la potentialisation à long terme (LTP, Long Term Potentiation), la dépression synaptique à long terme (LTD, Long Term Depression), la tenue dans le temps et la capacité de conservation de la LTD/LTP, et la linéarité. Le présent document s’applique aux dispositifs neuromorphiques à memristance à 2 bornes, sans limitation quelconque relative à la technologie des dispositifs et à leurs dimensions. Voir plus Voir moins |
|||
| Informations complémentaires : | |||
|
|||