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Enquête Publique – Norme volontaire

Date de clôture : 24/11/2025

Normalisation thermique des boîtiers de semiconducteurs - Partie 6-1: Modèle de résistance thermique et de capacité pour la prédiction de la température transitoire aux points de jonction et de mesure - Méthode de création de modèle utilisant une fiche te

PR NF EN IEC 63378-6-1

Suivie par la Commission : Dispositifs à semiconducteurs Origine des travaux : Internationale
    Motif : Revision de norme

Résumé:

La présente partie de l’IEC 63378 spécifie un modèle de résistance thermique et de capacité pour les boîtiers de semiconducteurs. Ce modèle est appelé modèle de résistance et de capacité thermiques par fiche technique (DSRC, DataSheet thermal Resistance a nd Capacitance). Le modèle DSRC est spécifiquement caractérisé par des fiches techniques fournies par les fabricants de semiconducteurs et basées sur des performances réelles. Ce modèle est conçu pour prédire les températures transitoires à une jonction et à d’autres points spécifiés mentionnés dans les fiches techniques. Le présent document s ’applique aux boîtiers de semiconducteurs pris en charge par l’IEC 63378-6.

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Informations complémentaires :
  • Les destinataires du présent projet sont invités à soumettre leurs observations et à notifier, avec la documentation justificative, tout éventuel droit de propriété intellectuelle (notamment droit d’auteur) ou de propriété industrielle (notamment brevet) susceptible d’être en lien direct ou indirect avec le projet ou d’être inclus ou référencé dans la norme en cours d’élaboration. 

  • Si une réunion de dépouillement s'avère nécessaire, celle-ci sera confirmée ultérieurement par une invitation.

  • La présente partie de l’IEC 63378 spécifie un modèle de résistance thermique et de capacité pour les boîtiers de semiconducteurs. Ce modèle est appelé modèle de résistance et de capacité thermiques par fiche technique (DSRC, DataSheet thermal Resistance a nd Capacitance). Le modèle DSRC est spécifiquement caractérisé par des fiches techniques fournies par les fabricants de semiconducteurs et basées sur des performances réelles. Ce modèle est conçu pour prédire les températures transitoires à une jonction et à d’autres points spécifiés mentionnés dans les fiches techniques. Le présent document s ’applique aux boîtiers de semiconducteurs pris en charge par l’IEC 63378-6.

  • L'enquête publique est soumise sur les versions française et anglaise.

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