Lignes directrices pour les procédures d'évaluation de la fiabilité et de la robustesse de l'oxyde de grille des transistors de puissance à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs (MOSFET) en carbure de silicium (procédure par voie express)

PR NF EN IEC 63740

Suivie par la Commission :

Dispositifs à semiconducteurs

Origine des travaux :

Française

Motif :

Nouveau document

Résumé :

Le présent document poursuit deux objectifs. Le premier objectif est de fournir des lignes directrices pour l'extraction de la durée de vie et l'usure du diélectrique de grille des dispositifs MOS (métal-oxyde-semiconducteurs) sur des substrats en carbure de silicium ("comportement intrinsèque"). Il s'applique spécifiquement aux dispositifs MOS (condensateurs ou transistors) avec une épaisseur d'oxyde (tox) >> 10 nm. Par conséquent, aucun comportement de claquage "progressif" n'est attendu et le claquage de l'oxyde se produit instantanément sous la forme d'un événement de claquage "franc".

Informations complémentaires :

Les destinataires du présent projet sont invités à soumettre leurs observations et à notifier, avec la documentation justificative, tout éventuel droit de propriété intellectuelle (notamment droit d’auteur) ou de propriété industrielle (notamment brevet) susceptible d’être en lien direct ou indirect avec le projet ou d’être inclus ou référencé dans la norme en cours d’élaboration.
Si une réunion de dépouillement s'avère nécessaire, celle-ci sera confirmée ultérieurement par une invitation.
Le présent document poursuit deux objectifs. Le premier objectif est de fournir des lignes directrices pour l'extraction de la durée de vie et l'usure du diélectrique de grille des dispositifs MOS (métal-oxyde-semiconducteurs) sur des substrats en carbure de silicium ("comportement intrinsèque").
Cette enquête est soumise en version française et anglaise.

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