Domaine d'application L'essai d'irradiation aux neutrons est réalisé pour déterminer la sensibilité des dispositifs à semiconducteurs à la dégradation par perte d'énergie non ionisante (NIEL, Non-Ionizing Energy Loss) . L'essai décrit dans le présent document s'applique aux circuits intégrés et aux dispositifs discrets à semiconducteurs, et est destiné aux applications des domaines militaire et aérospatial. Il s'agit d'un essai destructif. Les objectifs de l'essai sont les suivants: détecter et mesurer la dégradation des paramètres critiques des dispositifs à semiconducteurs en fonction de la fluence des neutrons; et déterminer si des paramètres spécifiés des dispositifs à semiconducteurs sont dans les limites spécifiées après exposition à un niveau spécifié de fluence de neutrons (voir Article 6) .

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