Le présent document établit la procédure d’essai, d’évaluation et de classification des dispositifs et des microcircuits selon leur susceptibilité (sensibilité) au dommage ou leur dégradation parsuite de leur exposition à une décharge électrostatique (DES) sur un modèle défini de dispositif chargé (CDM) induit par champ. Tous les dispositifs à semiconducteurs, circuits à couches minces, dispositifs à ondes acoustiques de surface (OAS), dispositifs optoélectroniques, circuits intégrés hybrides (HIC -hybrid integrated circuits) et modules multipuces (MCM -multi-chip modules) en boîtiers qui contiennent l’un de ces dispositifs doivent être évalués selon le présent document. Pour effectuer les essais, les dispositifs sont assemblés dans un boîtier similaire à celui prévu dans l’application finale. Le présent document CDM ne s’applique pas aux appareils d’essai de modèles de décharge avec support. Il décrit en revanche la méthode induite par champ (FI -field-induced). Une méthode alternative, la méthode par contact direct (DC -direct contact), est décrite à l’Annexe J.

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