La présente partie de la IEC 60749 établit une procédure de mesure de la prédisposition aux erreurs logicielles des dispositifs à semiconducteurs à mémoire lorsqu'ils sont soumis à des particules énergétiques telles que le rayonnement alpha. Deux essais sont décrits: un essai accéléré utilisant une source de rayonnement alpha et un essai de système en temps réel (non accéléré) dans lequel toutes les erreurs sont générées dans des conditions de rayonnement se produisant naturellement: il peut s'agir du rayonnement alpha ou de tout autre rayonnement, neutronique par exemple. Pour une caractérisation complète de la capacité d'erreur logicielle d'un circuit intégré à mémoire, il faut que le dispositif soit soumis à un essai pour le spectre large à haute énergie et les neutrons thermiques en utilisant des méthodes d'essais complémentaires. Cette méthode d'essai peut être appliquée à tout type de circuit intégré qui possède un dispositif de mémoire.

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