Suivie par la Commission : | Dispositifs à semiconducteurs | Origine des travaux : | Internationale |
Motif : | Revision de norme | ||
Résumé: | |||
La présente Norme internationale fournit une procédure d'essai pour la stabilité de température en polarisation (essai BT) des MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs). Voir plus Voir moins |
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Informations complémentaires : | |||
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