Suivie par la Commission : | Dispositifs à semiconducteurs | Origine des travaux : | Européenne |
Motif : | Nouveau document | ||
Résumé: | |||
La présente norme décrit l'essai de porteur chaud au niveau de la plaquette sur les transistors NMOS et PMOS. Cet essai est destiné à déterminer si les transistors individuels sont conformes à la durée de vie exigée du porteur chaud dans un processus (C)MOS donné. Voir plus Voir moins |
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Informations complémentaires : | |||
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