Domaine d'application La présente partie de l'IEC 60749 présente une procédure d'essai permettant de définir les exigences pour soumettre à essai des circuits intégrés à semiconducteurs sous boîtier et des dispositifs discrets à semiconducteurs, concernant les effets des rayonnements ionisants (dose totale) provenant d'une source de rayons gamma au cobalt-60 (60Co) . D'autres sources de rayonnements appropriées peuvent être utilisées. Quatre essais sont présentés dans cette procédure: un essai d'irradiation à température ambiante normale; un essai d'irradiation à température élevée/à température cryogénique; un essai de recuit accéléré; un essai de sensibilité accrue au faible débit de dose (ELDRS) . L'essai de recuit accéléré évalue l'importance des effets du débit de dose des rayonnements ionisants sur les dispositifs pour les faibles débits de dose, ou certaines autres applications dans lesquelles les dispositifs peuvent présenter des effets liés au temps qui sont significatifs. L'essai ELDRS détermine si les dispositifs intégrant des dipôles linéaires présentent une sensibilité aux dommages accrus liés aux rayonnements, à de faibles débits de dose. Le présent document ne concerne que les irradiations continues et ne s'applique pas aux irradiations pulsées. Il est destiné aux applications des domaines militaire et aérospatial. Le présent document peut être à l'origine d'une dégradation importante des propriétés électriques des dispositifs irradiés et est par conséquent considéré comme un essai destructif.

Voir plus Voir moins