Publication

Lignes directrices pour les méthodes d'essai de résistance dynamique à l'état passant des dispositifs de conversion de puissance fondés sur les HEMT en GaN

NF EN IEC 63373

Suivie par la Commission :

Dispositifs à semiconducteurs

Origine des travaux :

Française

Motif :

Nouveau document

Résumé :

Le présent document donne des lignes directrices pour l''essai de résistance dynamique à l''état passant des solutions de transistors de puissance latéraux en GaN. En règle générale, l''essai de résistance dynamique à l''état passant est une mesure des phénomènes de piégeage de charge dans les transistors de puissance en GaN.

Informations complémentaires :

Les normes sont élaborées par des commissions de normalisation, gérées par AFNOR et les Bureaux de normalisation des professions, qui rassemblent des représentants de toutes les parties intéressées (producteurs, utilisateurs, pouvoirs publics, associations, centres techniques, ...).

En vue d'améliorer la qualité de ces documents, un dispositif de retour d'expérience a été mis en place auprès des utilisateurs. L'information recueillie permettra en particulier d'apprécier la nécessité de modifier le document publié.

Afin d'adapter au mieux son contenu à vos attentes, AFNOR vous invite à répondre à ce questionnaire.

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