Lignes directrices pour les méthodes d'essai de résistance dynamique à l'état passant des dispositifs de conversion de puissance fondés sur les HEMT en GaN

En règle générale, l'essai de résistance dynamique à l'état passant est une mesure des phénomènes de piégeage de charge dans les transistors de puissance en GaN. La présente publication donne des lignes directrices pour l'essai de résistance dynamique à l'état passant des solutions de transistors de puissance latéraux en GaN. Les méthodes d'essai peuvent être appliquées aux éléments suivants: dispositifs de puissance discrets en GaN à mode d'enrichissement et de déplétion [3]; solutions de puissance intégrées en GaN; dispositifs et solutions ci-dessus au niveau des plaquettes et des boîtiers. Les méthodes d'essai spécifiées peuvent être utilisées pour la caractérisation des dispositifs, les essais de production, les évaluations de fiabilité et les évaluations de l'application des dispositifs de conversion de puissance en GaN. Le présent document n'est pas destiné à couvrir les mécanismes sous-jacents de la résistance dynamique à l'état passant et sa représentation symbolique pour les spécifications du produit.

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